Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Performance Enhancement in N-Channel Organic Field-Effect Transistors Using Ferroelectric Material as a Gate Dielectric
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BSO - Titre
Performance enhancement in n-channel organic field-effect transistors using ferroelectric material as a gate dielectric
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DOI
DOI
10.1109/tnano.2017.2683201
XX
DOAI
DOAI
10.1109/tnano.2017.2683201
XX
Identifiant WoS
WOS:000410170500008
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
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Editeur
IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers
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Source
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY
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ISSN
1536-125X
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/MSQS98VZ
12/10/2021 14:52:51 (latest)
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